美国在芯片制造方面已落后于亚洲的三星和台积电，沿着现有的技术路线恐怕已很难反超，为此美国开始研发碳纳米晶体管技术，希望将这些技术引入芯片制造行业，而这恰恰是中国芯片已取得突破的技术。
在先进工艺研发方面，中国也是后来者，当前中国量产的最先进工艺是14nm，中国正在推进7nm工艺，但是由于众所周知的原因难以获得EUV光刻机，导致中国在先进工艺制程方面困难颇多。
中国在现有的硅基芯片制造工艺方面继续努力之余，中国早早就开始研发碳基芯片技术，早在2018年的时候北京大学的彭练矛—张志勇研究团队就已发布了碳纳米管技术，近几年来中国已有越来越多的碳基芯片专利出现，显示出中国在碳基芯片方面积累了相当多的专利。
近两年来中国技术领先的科技企业华为也在加大对碳基芯片技术的研发，华为也已陆续公布了碳基芯片的专利，随着华为的加入，中国在碳基芯片技术研发方面将进一步加速，毕竟华为在芯片设计和芯片生产方面都有较为丰富的经验，可以加速碳基芯片的量产。
可能也是眼见中国在碳基芯片技术研发方面的进展，美国也开始加大力度研发碳基芯片的技术研发，希望与中国芯片在碳基芯片技术方面保持同步。
日前传出的消息指出美国一家新创的芯片企业SkyWater获得了美国国防部2700万美元资助，研发碳基芯片技术，用90nm工艺制造芯片，借助碳纳米管等先进材料的优良特性，可以大幅提升芯片性能，甚至比台积电生产的7nm硅基芯片还要强50倍。
SkyWater是一家在2017年成立的芯片制造企业，目前最先进的工艺也才达到65nm级别，在先进工艺制程方面远远无法与台积电和三星相比，然而如果它能成功将碳纳米管等材料应用于芯片制造当中，那么将可以生产出在性能方面媲美台积电和三星以先进工艺生产的硅基芯片。
SkyWater获得美国国防部的资助，意味着碳基芯片商用的时间正在接近，对全球芯片技术将具有革命性意义，这也凸显出美国并不希望继续在芯片制造方面受制于亚洲芯片制造企业，而继续继续掌握芯片技术主导权。
随着美国加速碳基芯片技术的商用，可以预期中国也将加速这项技术的量产，事实上2020年北京碳基集成电路研究院公布的技术就显示它当时研发出的碳基芯片已相当于28nm硅基芯片工艺，并与华为等芯片企业达成合作。
美国选择一家新创企业加速量产碳基芯片，证明了中国选择发展碳基芯片的路子走对了，中国和美国在碳基芯片技术方面的较量正在展开，谁将率先将这项技术量产，那么就拥有领先的技术优势，这对于台积电和三星来说恐怕是不利的消息。
